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【TC Wafer】芯片晶圓熱處理的一些基本關(guān)鍵點(diǎn)?

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芯片晶圓熱處理【TC Wafer】通常采用碘鎢燈管用作加熱元件,并且它的升溫速快。因此說備受許多人青睞。為了能讓更多人能夠真正了解它,接下來我們借助這次機(jī)會(huì)為朋友們來講一下在應(yīng)對(duì)的時(shí)候一定要把握的一部分關(guān)鍵點(diǎn)。有關(guān)這些數(shù)據(jù)你如果也有興趣的話何不過來看看。

芯片晶圓熱處理主要是由爐體、爐襯、爐蓋、抽真空裝置和溫度控制系統(tǒng)所組成的。這點(diǎn)相信不少人是知曉的。但在進(jìn)行這件事的情況下要知道重點(diǎn)知識(shí)還有許多。如果如果有時(shí)間能夠抽時(shí)間看一看的。在這兒你首先要了解的就是在進(jìn)行芯片晶圓熱處理的時(shí)候一定要在120上下烘烤1h,300上下烘烤2h,這么做的目的就是為了防止?fàn)t子開裂。并且在它使用的過程中最好不要超出額定溫度,之所以會(huì)為重點(diǎn)注意這部分就是為了免損壞發(fā)熱元件和爐襯。在這個(gè)時(shí)候要需要嚴(yán)禁把各種液體和溶解金屬直接的倒入爐內(nèi),維持爐內(nèi)清潔。因?yàn)檫@個(gè)幾種情況是十分重要的,今天我們講了之后就需要引起關(guān)注的。不僅如此,在芯片晶圓熱處理【TC Wafer】的時(shí)候還要明白的是當(dāng)溫度高于1000時(shí),石英管的高溫部分會(huì)不透明,那么這個(gè)時(shí)候這就叫失透這是連續(xù)熔化石英管的固有缺陷,是正?,F(xiàn)象。因此說在這方面也是不用過多擔(dān)心的。

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工作人員在進(jìn)行芯片晶圓熱處理的時(shí)候還有一些關(guān)鍵點(diǎn)也是十分重要的,比如說它的需要大量吸熱,所以低溫段升溫速度不容易太快,各溫段升溫溫差不易過大,那么這個(gè)時(shí)候在設(shè)定升溫速率時(shí)應(yīng)綜合考慮燒結(jié)材料的理化性能,這么做的目的還是為了防止發(fā)生噴料和污染爐管的現(xiàn)象。你如果還有不懂的地方能夠撥打電話咨詢廠家的。這里有經(jīng)驗(yàn)豐富的客服專員接待您的。當(dāng)然了使用芯片晶圓熱處理的時(shí)候定期維護(hù)溫控系統(tǒng)的電氣連接部件是否接觸優(yōu)良,尤其注意發(fā)熱元件的連接點(diǎn)是否緊固。只要你做好它的維護(hù)和保養(yǎng)的話,才可以延長使用的壽命的。公司在各方面做的也都是很到位的。公司依托省級(jí)科研共享平臺(tái)的大數(shù)據(jù)分析,為世界用戶的薄膜技術(shù)研究及戰(zhàn)略方向提供了理論依據(jù)與數(shù)據(jù)支撐。并且從成立以來的話都在認(rèn)真做好每一款產(chǎn)品,為用戶提供好的產(chǎn)品與高質(zhì)量服務(wù)。

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