碳化硅載盤(pán)（也成碳化硅托盤(pán)）在半導(dǎo)體行業(yè)具有廣泛應(yīng)用，CVD、RTP/RTA、真空濺射、刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀等，比如，在對(duì)襯底進(jìn)行刻蝕時(shí)，需通過(guò)碳化硅載盤(pán)承載半導(dǎo)體襯底。

碳化硅載盤(pán)材質(zhì)成分是純SiC（純度＞99.9%），與石墨基載盤(pán)相比，其使用壽命是后者的四倍，且長(zhǎng)期使用不變形，穩(wěn)定性好，能夠耐各種強(qiáng)酸強(qiáng)堿化學(xué)試劑腐蝕（比如FH酸、濃H2SO4）。SiC載盤(pán)還具有優(yōu)秀的導(dǎo)熱性、低膨脹系數(shù)，抗熱沖擊性佳，耐電漿沖擊性等特點(diǎn)。

碳化硅載盤(pán)是采用高純超細(xì)碳化硅微粉，通過(guò)靜壓工藝成型、經(jīng)2450℃高溫?zé)Y(jié)而制成?？筛鶕?jù)用戶設(shè)計(jì)圖紙要求進(jìn)行外徑、厚度尺寸，穴位數(shù)量、尺寸、取片槽位置和形狀進(jìn)行精加工，以滿足用戶的具體使用要求。

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8基本參數(shù)

8主要優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn)

碳化硅載盤(pán)，可根據(jù)不同工藝其名稱不一樣，比如，碳化硅刻蝕盤(pán)，ICP刻蝕盤(pán)，LED刻蝕用碳化硅托盤(pán)（SIC托盤(pán)）等。其主要功能特點(diǎn)如下：

?耐高溫--1800℃溫度下正常使用；

?高熱導(dǎo)性--和石墨材料的導(dǎo)熱性相當(dāng)；

?硬度高--硬度僅次于金剛石、立方氮化硼；

?耐腐蝕--強(qiáng)酸、強(qiáng)堿對(duì)其無(wú)任何腐蝕，抗腐蝕性優(yōu)于碳化鎢和氧化鋁；

?重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近；

?不變形--極小的熱膨脹系數(shù)；

?抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化，抗熱沖擊，耐急冷急熱，性能穩(wěn)定。

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8典型應(yīng)用

·LED芯片制造中的RTP /RTA快速高溫?zé)崽幚砉に?/span>

·CVD、MOCVD、真空磁控濺射

·刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀

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