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一、簡介
1.1 概要
RTP-150RL是在保護(hù)氣氛下的桌面式快速退火系統(tǒng),以紅外可見光加熱單片 Wafer或樣品,工藝時間短,控溫精度高,適用最大6英寸晶片。相對于傳統(tǒng)擴(kuò)散爐退火系統(tǒng)和其他RTP系統(tǒng),其獨(dú)特的腔體設(shè)計、先進(jìn)的溫度控制技術(shù)和獨(dú)有的RL900軟件控制系統(tǒng),確保了極好的熱均勻性。
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1.2 產(chǎn)品特點(diǎn)

  • ?紅外鹵素?zé)艄芗訜幔鋮s采用風(fēng)冷

  • ?燈管功率PID控溫,可精準(zhǔn)控制溫度升溫,保證良好的重現(xiàn)性與溫度均勻性

  • ?采用平行氣路進(jìn)氣方式,氣體的進(jìn)入口設(shè)置在Wafer表面,避免退火過程中冷點(diǎn)產(chǎn)生,保證產(chǎn)品良好的溫度均勻性

  • ?大氣與真空處理方式均可選擇,進(jìn)氣前氣體凈化處理

  • ?標(biāo)配兩組工藝氣體,最多可擴(kuò)展至6組工藝氣體

  • ?可測單晶片樣品的最大尺寸為6英寸(150×150mm)

  • ?采用爐門安全溫度開啟保護(hù)、溫控器開啟權(quán)限保護(hù)以及設(shè)備急停安全保護(hù)三重安全措施,全方位保障儀器使用安全

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1.3?RTP行業(yè)應(yīng)用

  • ?氧化物、氮化物生長

  • ?硅化物合金退火

  • ?砷化鎵工藝

  • ?歐姆接觸快速合金

  • ?氧化回流

  • ?其他快速熱處理工藝

  • ? 離子注入激活

行業(yè)領(lǐng)域:

  • ? 芯片制造 生物醫(yī)學(xué) 納米技術(shù)

  • ? MEMS LEDs 太陽能電池

  • ? 化合物產(chǎn)業(yè) :GaAs,GaN,GaP,

  • ? GaInP,InP,SiC

  • ? 光電產(chǎn)業(yè):平面光波導(dǎo),激光,VCSELs

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二、技術(shù)規(guī)格
2.1參數(shù)

RTP-RL150
最大產(chǎn)品尺寸 6英寸晶圓或者最大支持150×150mm產(chǎn)品
溫度范圍 室溫~1250℃
最高升溫速度 150℃/s
溫度均勻度 ±1%
溫控方式 快速PID溫控
降溫速度 200℃/min(1000~400℃)
腔體設(shè)計 可配置大氣常壓腔體或者真空腔體
腔體冷卻方式 水冷腔體,獨(dú)立水冷源控制冷卻
襯底冷卻方式 氮?dú)獯祾?/span>
工藝氣體 MFC控制,常規(guī)兩路氣體,最大可擴(kuò)充至6路氣體
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