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【晶圓測溫系統(tǒng)】晶圓是什么?

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晶圓是指用于制作硅半導(dǎo)體電路的硅片,其原料是硅片。高純度多晶硅溶解后與硅晶體晶種混合,然后慢慢拉出,形成圓柱形單晶硅。硅晶棒經(jīng)過研磨、拋光和切片后,形成硅晶片,即晶片。國內(nèi)晶片生產(chǎn)線主要為8英寸和12英寸。【晶圓測溫系統(tǒng)

晶圓的主要加工工藝是片狀加工和批量加工,即同時加工一個或多個晶圓。隨著半導(dǎo)體特性的尺寸越來越小,加工和測量設(shè)備越來越先進(jìn),晶圓加工有了新的數(shù)據(jù)特性。同時,隨著特性尺寸的減小,晶圓加工過程中空氣中的顆粒數(shù)對晶圓加工后的質(zhì)量和可靠性有了更大的影響,隨著清潔度的提高,顆粒數(shù)也有了新的數(shù)據(jù)特性。晶圓測溫系統(tǒng)

制作流程

化學(xué)氣相沉積是一種用于制造微電子設(shè)備時沉積某些薄膜的技術(shù)。這種薄膜可能是介電材料或半導(dǎo)體。物理氣相沉積技術(shù)是利用惰性氣體在晶圓表面沉積所需的材料,撞擊濺射靶材。工藝反應(yīng)室內(nèi)的高溫和真空環(huán)境可以使這些金屬原子形成晶粒,通過圖案化(patterned)并且蝕刻,得到所需的導(dǎo)電電路。

光學(xué)顯影是將光罩上的圖形轉(zhuǎn)換成薄膜。光學(xué)顯影一般包括光阻涂布、烘烤、照明對準(zhǔn)、曝光和顯影。干蝕刻是最常用的蝕刻方法,它以氣體為主要蝕刻媒介,由電漿驅(qū)動。蝕刻是去除表面不必要的材料。

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研磨化學(xué)機(jī)械(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)它是一種結(jié)合了機(jī)械研磨和酸堿溶液化學(xué)研磨的技術(shù),可以使晶圓表面更加平整,便于后續(xù)工序。研磨時,研磨漿在晶圓和研磨墊之間。影響CMP的因素有:研磨頭的壓力和晶圓的平整度、旋轉(zhuǎn)速度、研磨漿的化學(xué)成分等。

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