第1代半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)述第1代半導(dǎo)體材料主要指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導(dǎo)體材料。作為第1代半導(dǎo)體材料的鍺和硅，在全球信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)中的各類分立器件和應(yīng)用極其常見的集成電路、電子信息技術(shù)網(wǎng)絡(luò)工程、計(jì)算機(jī)、電話、電視機(jī)、航天工程、各種軍事工程和飛速發(fā)展的新能源、硅光伏產(chǎn)業(yè)中都獲得了極其廣泛應(yīng)用，硅芯片在人類社會(huì)各個(gè)角落沒有不閃耀著它的光芒。【TC Wafer】

第2代半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)述第2代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）；三元化合物半導(dǎo)體，如GaAsAl、GaAsP；還有一些固溶體半導(dǎo)體，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半導(dǎo)體（又稱非晶態(tài)半導(dǎo)體），如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導(dǎo)體；有機(jī)半導(dǎo)體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。

第2代半導(dǎo)體材料具體用于制造高速、高頻、大功率及發(fā)光電子器件，是制造高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。因信息高速公路和互聯(lián)網(wǎng)的興起，還被廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、移動(dòng)通訊、光通信和GPS導(dǎo)航等行業(yè)領(lǐng)域。【TC Wafer】

第三代半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)述第三代半導(dǎo)體材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（Eg》2.3eV）半導(dǎo)體材料。在領(lǐng)域應(yīng)用，依據(jù)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展情況，其主要用途為半導(dǎo)體照明、電力電子器件、激光器和探測(cè)器、以及其它4個(gè)領(lǐng)域，每個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)成熟度不盡相同。在前沿研究行業(yè)領(lǐng)域，寬禁帶半導(dǎo)體還處于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)階段。

和第1代、第2代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具備寬的禁帶寬度，高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因此更適用于制作高溫、高頻、抗輻射和大功率器件，一般也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2ev），又稱為高溫半導(dǎo)體材料。【TC Wafer】

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