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GaAs快速退火爐使用方便,易于操作,加熱元件采用紅外燈管,加熱速度快,節(jié)省時間?;瑒臃ㄌm簡化了樣品的裝卸過程,操作方便,可快速獲得實驗結(jié)果,省去了重復(fù)的法蘭安裝過程,減少了爐管安裝造成的損壞。那么你知道它該有怎樣的配置和特點嗎?
GaAs快速退火爐適用于CVD工藝,例如碳化硅涂層,陶瓷基板電導(dǎo)率測試,ZnO納米結(jié)構(gòu)的受控生長,陶瓷電容器(MLCC)氣氛燒結(jié)和其他實驗。此CVD系統(tǒng)配置:1200度開放式真空管式爐(可選單溫度區(qū),雙溫度區(qū))。多通道質(zhì)量流量控制系統(tǒng),真空系統(tǒng)(可以選擇中真空或高真空)。
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GaAs/GaN用快速退火爐
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1、控制電路采用模糊PID程序控制技術(shù),具有溫度控制精度高,熱慣性低,溫度超調(diào),性能可靠,操作簡單的特點。
2、氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用公司*的知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計,提高了操作的便利性。
3、中真空系統(tǒng)具有自動控制真空度上限和下限的功能,高真空系統(tǒng)使用高壓耐沖擊分子泵。
GaAs用快速退火爐易于操作,加熱元件采用紅外燈管,加熱速度快,節(jié)省時間。滑動法蘭簡化了樣品的裝卸過程,操作方便。實驗結(jié)果可以很快獲得,并且省去了重復(fù)的方法,藍色的安裝過程減少了由于安裝引起的爐管損壞。