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On WaferWHS高溫?zé)o線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)

On Wafer WHS 高溫?zé)o線 晶圓測(cè)溫系統(tǒng) On Wafer 高溫?zé)o線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過(guò)自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成,實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程...

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On ?Wafer 高溫?zé)o線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過(guò)自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成,實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù),為半導(dǎo)體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝參數(shù)。瑞樂(lè)提供核心的DUAL SHIELD技術(shù),具有強(qiáng)抗干擾能力,可實(shí)現(xiàn)在干法刻蝕環(huán)境中正常工作,精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)刻蝕工藝溫度;結(jié)合核心的TEMP-BLOCK技術(shù),可實(shí)現(xiàn)高溫環(huán)境中,精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)制程溫度。

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產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):

1. 無(wú)線測(cè)溫采集:傳感器無(wú)需有線連接即可傳輸數(shù)據(jù),滿足晶圓在復(fù)雜性狀況下通過(guò)無(wú)線通信方式進(jìn)行溫度測(cè)量。

2.實(shí)時(shí)測(cè)溫監(jiān)測(cè):系統(tǒng)可以提供實(shí)時(shí)溫度讀數(shù),通過(guò)測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)觀察晶圓在工藝過(guò)程中的溫度變化過(guò)程。

3. 滿足高精度測(cè)量:采用高精度溫度傳感器確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性,晶圓生產(chǎn)過(guò)程中精確控制工藝條件至關(guān)重要。

4.測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)分析能力:測(cè)量后的數(shù)據(jù)通過(guò)軟件分析和優(yōu)化工藝參數(shù),提高產(chǎn)量和產(chǎn)品質(zhì)量。

5. 支持過(guò)程調(diào)整與驗(yàn)證:通過(guò)分析在產(chǎn)品工藝條件下收集的溫度數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)調(diào)整蝕刻和其他關(guān)鍵工藝步驟的條件,以確保最佳性能。

6. 全面熱分布區(qū)監(jiān)測(cè):在晶圓上支持多達(dá)81個(gè)位置同時(shí)進(jìn)行溫度監(jiān)測(cè),從而獲得全面的熱分布圖。

On Wafer WHS無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)

Wafer尺寸

8”、12”

測(cè)溫點(diǎn)數(shù)

53點(diǎn)/81點(diǎn)/可定制測(cè)溫點(diǎn)

溫度范圍

15-400

溫度精度

±0.1/±0.2

sensor to sensor

±0.1/±0.2

測(cè)溫元件

IC

晶圓材質(zhì)

硅片

厚度

1.4mm

通信方式

無(wú)線通信傳輸

充電方式

無(wú)線充電

采樣頻率

2Hz/可選

測(cè)溫軟件

無(wú)線測(cè)溫專用軟件,實(shí)時(shí)顯示溫度場(chǎng)剖面圖及實(shí)時(shí)升溫曲線圖

配套主機(jī)

測(cè)溫系統(tǒng)配套主機(jī)

應(yīng)用場(chǎng)景

光刻

刻蝕

化學(xué)氣相沉積(CVD

物理氣相沉積(PVD)

離子注入

清洗

化學(xué)機(jī)械拋光

紫外光固化

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