碳化硅載盤(pán)-圓產(chǎn)品介紹

碳化硅載盤(pán)，也稱(chēng)碳化硅托盤(pán)、SIC托盤(pán)，碳化硅蝕刻盤(pán)，ICP蝕刻盤(pán)。在半導(dǎo)體行業(yè)具有廣泛應(yīng)用，CVD、RTP/RTA、真空濺射、刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀等，比如，在對(duì)襯底進(jìn)行刻蝕時(shí)，需通過(guò)碳化硅載盤(pán)承載半導(dǎo)體襯底。

碳化硅具有耐高溫（1500℃）、高比剛度、低的熱膨脹系數(shù)以及極佳的化學(xué)惰性，使其在光伏、半導(dǎo)體、新能源、航空航天工業(yè)中高溫、高腐蝕、高精度工況中應(yīng)用廣泛。如碳化硅研磨盤(pán)應(yīng)用于硅片拋光領(lǐng)域，比傳統(tǒng)的剛玉拋光盤(pán)壽命提高2-3倍。碳化硅筒體耐高溫、耐磨應(yīng)用在高溫硅料生產(chǎn)的傳輸通道，在生產(chǎn)過(guò)程中不會(huì)污染硅料，保證產(chǎn)品品質(zhì)。

碳化硅載盤(pán)材質(zhì)成分是純SiC（純度＞99.9%），與石墨基載盤(pán)相比，其使用壽命是后者的四倍，且長(zhǎng)期使用不變形，穩(wěn)定性好，能夠耐各種強(qiáng)酸強(qiáng)堿化學(xué)試劑腐蝕（比如FH酸、濃H2SO4）。SiC載盤(pán)還具有優(yōu)秀的導(dǎo)熱性、低膨脹系數(shù)，抗熱沖擊性佳，耐電漿沖擊性等特點(diǎn)。

碳化硅載盤(pán)是采用高純超細(xì)碳化硅微粉，通過(guò)靜壓工藝成型、經(jīng)2450℃高溫?zé)Y(jié)而制成?？筛鶕?jù)用戶(hù)設(shè)計(jì)圖紙要求進(jìn)行外徑、厚度尺寸，穴位數(shù)量、尺寸、取片槽位置和形狀進(jìn)行精加工，以滿足用戶(hù)的具體使用要求。

碳化硅載盤(pán)主要特點(diǎn)有：

1.耐高溫--1800℃溫度下正常使用；

2.高熱導(dǎo)性--和石墨材料的導(dǎo)熱性相當(dāng)；

3.硬度高--硬度僅次于金剛石、立方氮化硼；

4.耐腐蝕--強(qiáng)酸、強(qiáng)堿對(duì)其無(wú)任何腐蝕，抗腐蝕性?xún)?yōu)于碳化鎢和氧化鋁；

5.重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近；

6.不變形--極小的熱膨脹系數(shù)；

7.抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化，抗熱沖擊，耐急冷急熱，性能穩(wěn)定。

碳化硅載盤(pán)主要應(yīng)用領(lǐng)域：

LED芯片制造中的RTP/RTA快速高溫?zé)崽幚砉に?、CVD、MOCVD、真空磁控濺射、刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀。

基本參數(shù)

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