碳化硅載盤-6寸9位方盤產(chǎn)品介紹

碳化硅載盤，也稱碳化硅托盤、SIC托盤，碳化硅蝕刻盤，ICP蝕刻盤。在半導體行業(yè)具有廣泛應用，CVD、RTP/RTA、真空濺射、刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀等，比如，在對襯底進行刻蝕時，需通過碳化硅載盤承載半導體襯底。

碳化硅具有耐高溫（1500℃）、高比剛度、低的熱膨脹系數(shù)以及極佳的化學惰性，使其在光伏、半導體、新能源、航空航天工業(yè)中高溫、高腐蝕、高精度工況中應用廣泛。如碳化硅研磨盤應用于硅片拋光領域，比傳統(tǒng)的剛玉拋光盤壽命提高2-3倍。碳化硅筒體耐高溫、耐磨應用在高溫硅料生產(chǎn)的傳輸通道，在生產(chǎn)過程中不會污染硅料，保證產(chǎn)品品質(zhì)。

碳化硅載盤材質(zhì)成分是純SiC（純度＞99.9%），與石墨基載盤相比，其使用壽命是后者的四倍，且長期使用不變形，穩(wěn)定性好，能夠耐各種強酸強堿化學試劑腐蝕（比如FH酸、濃H2SO4）。SiC載盤還具有優(yōu)秀的導熱性、低膨脹系數(shù)，抗熱沖擊性佳，耐電漿沖擊性等特點。

碳化硅載盤是采用高純超細碳化硅微粉，通過靜壓工藝成型、經(jīng)2450℃高溫燒結而制成?？筛鶕?jù)用戶設計圖紙要求進行外徑、厚度尺寸，穴位數(shù)量、尺寸、取片槽位置和形狀進行精加工，以滿足用戶的具體使用要求。

碳化硅載盤主要特點有：

1.耐高溫--1800℃溫度下正常使用；

2.高熱導性--和石墨材料的導熱性相當；

3.硬度高--硬度僅次于金剛石、立方氮化硼；

4.耐腐蝕--強酸、強堿對其無任何腐蝕，抗腐蝕性優(yōu)于碳化鎢和氧化鋁；

5.重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近；

6.不變形--極小的熱膨脹系數(shù)；

7.抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化，抗熱沖擊，耐急冷急熱，性能穩(wěn)定。

碳化硅載盤主要應用領域：

LED芯片制造中的RTP/RTA快速高溫熱處理工藝、CVD、MOCVD、真空磁控濺射、刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀。

基本參數(shù)

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